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基于電荷窄化吸收效應(yīng)的光電探測(cè)器及其制備方法

919   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:09
本發(fā)明公開了一種基于電荷窄化吸收效應(yīng)的光電探測(cè)器及其制備方法,目的在于解決現(xiàn)有鈣鈦礦光電探測(cè)器的半波峰寬大,以及只能單一波段探測(cè)能力的問題,包括玻璃基板,透明導(dǎo)電電極層,雙窄帶控制層、鈣鈦礦敏感層、電子傳輸層,空穴阻擋層和金屬電極層,玻璃基板上蒸鍍有透明導(dǎo)電電極層,透明導(dǎo)電電極層上從下至上依次旋涂有雙窄帶控制層、鈣鈦礦敏感層和電子傳輸層,在電子傳輸層上自下而上依次蒸鍍有空穴阻擋層和金屬電極層,有效地窄化了光探測(cè)器的半波峰寬,提高了鈣鈦礦光探測(cè)器的探測(cè)性能,且制備方法簡(jiǎn)單高效,適用于規(guī)模化生產(chǎn)。
聲明:
“基于電荷窄化吸收效應(yīng)的光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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