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提高深紫外光電探測(cè)器性能的方法

727   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:10
本發(fā)明公開了一種提高深紫外光電探測(cè)器性能的方法,首先制備CsCu2I3單晶,采用反溶劑蒸汽輔助法生長CsCu2I3單晶,將N,N?二甲基甲酰胺和二甲基亞砜混勻,制得5毫升混合溶液,N,N?二甲基甲酰胺和二甲基亞砜的混合體積比為4:1,將原料1.299g碘化銫和0.952g碘化亞銅加入到上述混合溶液中,進(jìn)行攪拌,需在60℃磁力不斷攪拌下直至得到清澈的溶液,將無水甲醇緩慢滴加到上述溶液中,直到白色沉淀不再消失,將飽和溶液加熱蒸發(fā)獲得CsCu2I3晶體。所合成的CsCu2I3晶體,然后再通過水浸泡的方法,極大提高銫銅碘CsCu2I3鈣鈦礦的光電響應(yīng)特性,具有很高響應(yīng)度和量子效率,性能優(yōu)于大多已報(bào)道的全無機(jī)無鉛鈣鈦礦光電探測(cè)器,制備方法簡(jiǎn)單,成本低,在未來光電探測(cè)應(yīng)用方面有很大的潛力。
聲明:
“提高深紫外光電探測(cè)器性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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