本發(fā)明屬于微納制造與光電子器件領(lǐng)域,并具體公開了一種陣列互聯(lián)的CsPbCl3紫外光電探測器及其制備方法,包括步驟:S1在襯底上制備十字交叉型電極陣列;S2采用光刻套刻工藝進(jìn)行CsCl前驅(qū)體掩膜版圖形轉(zhuǎn)移,采用薄膜沉積工藝在襯底上沉積得到CsCl前驅(qū)體圖案,該CsCl前驅(qū)體圖案位于十字交叉型電極陣列中并與其連接;S3采用薄膜沉積工藝在CsCl前驅(qū)體圖案上沉積前驅(qū)體PbCl2層,退火使CsPbCl3
鈣鈦礦擴(kuò)散結(jié)晶,得到圖案化CsPbCl3鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明克服了傳統(tǒng)溶液法與光刻工藝不兼容的問題,可降低像元尺寸、提高像元密度,并降低電極面積占比,提升成像器件陣列密度,實(shí)現(xiàn)探測器小型化、集成化。
聲明:
“陣列互聯(lián)的CsPbCl3紫外光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)