本實用新型公開了一種p?BN/i?Ga2O3/n?Ga2O3的日盲型紫外探測器,包括:襯底、n型Ga2O3層、i型Ga2O3層、p型BN層、n型歐姆電極和p型歐姆電極;n型Ga2O3層位于襯底上;i型Ga2O3層和n型歐姆電極均位于n型Ga2O3層上,i型Ga2O3層和n型歐姆電極之間間隔設置;p型BN層位于i型Ga2O3層上;p型歐姆電極位于p型BN層上;其中,p型BN層采用纖鋅礦型氮化硼材料,且p型BN層厚度為50?100nm。本實用新型通過采用纖鋅礦型氮化硼作為p型層,使得p型摻雜激活能只有31meV,可以使得p型BN層較易實現(xiàn)1×1018cm?3以上的空穴濃度,使得P型氮化硼材料的電阻率可以降到12Ω.cm以下,由于p型BN層能夠有效地提供空穴并與金屬電極形成良好的歐姆接觸,使得探測器的響應時間縮短、量子效率以及光譜響應度提升。
聲明:
“p-BN/i-Ga2O3/n-Ga2O3的日盲型紫外探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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