本發(fā)明公開了一種含氦W基納米晶薄膜材料的制備方法,即首次采用磁控濺射的方法在He/Ar混合氣氛中將W基靶材進(jìn)行濺射、沉積,從而在襯底上實(shí)現(xiàn)含氦W基納米晶薄膜材料的制備。本制備方法可有效克服傳統(tǒng)
粉末冶金等方法制備的W基塊體晶粒粗大的問題,實(shí)現(xiàn)具有納米量級晶粒尺寸的W基樣品的制備,有效克服了傳統(tǒng)方法中使用加速器注入He時(shí)由于材料表面溫度升高引起的溫度不可控、氦原子在材料表面深度方向分布不均勻等問題,實(shí)現(xiàn)了He原子在W基材料中均勻、可控地注入。
聲明:
“基于含氦W基納米晶薄膜材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)