本發(fā)明公開(kāi)了一種梯度鋁硅電子封裝材料的制備方法,具體步驟包括:(1)采用鑄造或者
粉末冶金方法制備出鋁硅材料,經(jīng)攪拌摩擦加工處理獲得硅顆粒細(xì)化、分布均勻的致密鋁硅合金;(2)在鋁硅合金上開(kāi)鉆均勻分布的盲孔,將硅粉末均勻填入孔中并壓實(shí),經(jīng)過(guò)攪拌摩擦加工獲得一定厚度的鋁硅
復(fù)合材料層;(3)重復(fù)步驟(2),通過(guò)控制攪拌針尺寸、盲孔尺寸及間距,獲得硅的質(zhì)量百分比呈梯度分布的梯度鋁硅合金。本發(fā)明通過(guò)攪拌摩擦加工的方法,獲得成分呈現(xiàn)連續(xù)性梯度分布的鋁硅合金,以使得鋁硅合金在不同的位置具有不同的熱導(dǎo)性、不同的熱膨脹系數(shù)和不同的機(jī)械性能,以滿(mǎn)足作為封裝材料的需求。
聲明:
“梯度鋁硅電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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