本發(fā)明公開了,涉及鈮片制備技術領域,其包括如下步驟:第一步、嚴格選用礦石,利用萃取設備多次酸洗和反鈮萃取;第二步、進行鋁熱還原、水平電子束,控制雜質(zhì)元素含量;第三步、進行真空電子束精煉提純,控制熔煉速度、熔煉真空度、熔煉功率;第四步、對整個過程進行整體過程進行二次污染控制;第五步、采用半成品高純度鈮片作為包覆材料,進行疊軋及包覆軋制工藝進行軋制。本發(fā)明在制備過程中,嚴格控制除鉭元素以外,其余殘余元素的含量,并控制鈮片厚度,使最后制備的高純度鈮片可準確進行1.0MeV快中子的探測。
聲明:
“輻照監(jiān)督中子探測用的高純度鈮片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)