本發(fā)明屬于圖案化陣列薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種圖案化單晶
鈣鈦礦陣列薄膜的制備方法與應(yīng)用,基于分子外延定位生長。本發(fā)明使用NH2?CH2CH2?SH分子修飾整列化的圖形電極,用以輔助定位外延生長單晶鈣鈦礦薄膜,并通過空間限制技生長超薄的單晶鈣鈦礦薄膜,實(shí)現(xiàn)了單晶鈣鈦礦陣列電極薄膜術(shù)的精確定位生長、陣列化和圖形化,極大發(fā)揮了鈣鈦礦材料的優(yōu)越的光學(xué)性能;對甲氨基鹵化物鈣鈦礦體系的片上集成光電功能性器件研究擴(kuò)展了思路,進(jìn)一步為生產(chǎn)高性能精度、便攜易加工和應(yīng)用性好的陣列光電探測器以及片上集成光源提供了方法和科學(xué)依據(jù),促進(jìn)了光電探測器和片上集成光電設(shè)備的進(jìn)一步發(fā)展。
聲明:
“圖案化單晶鈣鈦礦陣列薄膜的制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)