本申請(qǐng)涉及化學(xué)氣相沉積領(lǐng)域,具體而言,涉及一種立式雙溫區(qū)?雙通道化學(xué)氣相沉積設(shè)備,包括:沉積爐,沉積爐內(nèi)包括介質(zhì)容置區(qū),介質(zhì)容置區(qū)將沉積爐的內(nèi)部腔室劃分為上加熱區(qū)和下加熱區(qū);介質(zhì)容置區(qū)用于容置多孔介質(zhì),多孔介質(zhì)用于沉積制備
復(fù)合材料;第一加熱體,用于對(duì)上加熱區(qū)進(jìn)行加熱,以對(duì)多孔介質(zhì)面向上加熱區(qū)的一端進(jìn)行加熱;第二加熱體,用于對(duì)下加熱區(qū)進(jìn)行加熱,以對(duì)多孔介質(zhì)面向下加熱區(qū)的一端進(jìn)行加熱;其中,在沉積階段時(shí),第一加熱體的功率不同于第二加熱體的功率,以使多孔介質(zhì)的上下兩端的溫度不同形成溫差,從而本申請(qǐng)?zhí)峁┑幕瘜W(xué)氣相沉積設(shè)備可以對(duì)多孔介質(zhì)上下兩端分別進(jìn)行致密化,從而實(shí)現(xiàn)整個(gè)多孔介質(zhì)的均勻致密。
聲明:
“立式雙溫區(qū)-雙通道化學(xué)氣相沉積設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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