一種IGBT半橋電路,在外殼底板上真空燒結(jié)氮化鋁DBC基板,在氮化鋁DBC基板上真空燒結(jié)IGBT
芯片和FWD芯片;氮化鋁DBC基板與主電極引線間用真空燒結(jié)的連接橋進(jìn)行電聯(lián)接,氮化鋁DBC基板與IGBT芯片、FWD芯片及輔助電極引線間用超聲壓焊高純鋁絲進(jìn)行電聯(lián)接;殼蓋扣設(shè)在外殼底板上。其優(yōu)點(diǎn)是:它采用金屬全封裝外殼,芯片采用真空燒結(jié)工藝,通過氮化鋁DBC基板實(shí)現(xiàn)同殼體的絕緣,其耐溫度循環(huán)性能和密封性、散熱性能等都比較理想。它體積小、重量輕、大電流、抗沖擊、抗振動(dòng)、散熱性好,能耐更高的冷熱劇變,可組合為H橋電路與三相全橋電路。適合于在高壓、高頻、自然條件惡劣的環(huán)境下對直流電進(jìn)行逆變;殼蓋與殼體的連接采用平行縫焊工藝,使其能耐更高的溫度沖擊。
聲明:
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