一種制備高比表面積SiC納米微球的方法,將碳微球與二氧化硅微球混合均勻,得到混合粉末;其中碳微球粒徑為200~400nm,與二氧化硅微球的粒徑為100~200nm;將混合粉末放入真空燒結(jié)爐中,將真空燒結(jié)爐抽真空后通入氬氣,并在氬氣保護(hù)下自室溫升溫至1200℃時(shí)將真空燒結(jié)爐抽真空,然后繼續(xù)升溫至1300℃~1500℃,在1300℃~1500℃下燒結(jié),得到產(chǎn)物;將產(chǎn)物在400-600℃下煅燒,得到高比表面積SiC納米微球。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單,成本低廉,可重復(fù)性好,有利于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明所制得的SiC納米微球的粒度均勻,純度高,直徑在200~500nm范圍內(nèi)可控,比表面積可以達(dá)到25~60m2/g。
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