本發(fā)明公開了一種MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制備方法,它的步驟如下:(1)首先,將MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料,混合時間為8-72hr,并模壓成型,得到坯料;(2)將坯料室溫晾干,然后入烘箱烘干1-200hr,得到烘干后的坯料;(3)將烘干后的坯料移入鋪有金屬Si粉的真空燒結(jié)爐中,冷卻后獲得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本發(fā)明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模壓成型,所得材料孔隙率低于10%或以下,強度大于200MPa。該方法補充了現(xiàn)有高溫抗氧化強度材料品種,適合工業(yè)規(guī)模。
聲明:
“MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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