本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,公開涉及一種純無機鉛鹵
鈣鈦礦的X射線探測器及其制備方法和應(yīng)用,制備方法包括將涂有SnO2中間層的導(dǎo)電襯底置于雙溫區(qū)管式爐的低溫區(qū),將前驅(qū)體粉末置于雙溫區(qū)管式爐高溫區(qū)作為蒸發(fā)源;石英管抽真空后,將所述低溫區(qū)和高溫區(qū)分別升溫至100~300℃和550~660℃,通入載氣,保溫20~40min,在SnO2中間層上形成鈣鈦礦膜,得到所述純無機鉛鹵鈣鈦礦吸收層。該吸收層中鈣鈦礦層形貌良好,平整性高,穩(wěn)定性好,制備的器件X射線靈敏度高,同時具有較好的穩(wěn)定性和很低的暗電流,適用于X射線探測及成像應(yīng)用。
聲明:
“純無機鉛鹵鈣鈦礦吸收層及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)