本發(fā)明涉及一種高可靠性高壓功率半導(dǎo)體模塊
芯片的制造工藝,整個制造工藝流程包括:磷擴散、硼擴散、蒸鍍鈦鎳銀合金、線切割、磨角、真空燒結(jié)、酸腐蝕、雙層膠體聯(lián)合保護、室溫硫化、高溫固化、檢測包裝。其中雙層膠體聯(lián)合保護如圖所示,是先將聚酰亞胺(PI)膠(圖中41)均勻涂敷于芯片臺面,形成致密保護層,再使用自主研發(fā)的自動涂膠工裝夾具,批量涂敷深藍色硅橡膠(圖中42)。本發(fā)明結(jié)合了GPP方片和OJ圓片兩種工藝的優(yōu)點,對現(xiàn)有功率半導(dǎo)體模塊芯片的制造工藝進行改進,有效阻止電子遷移,減小芯片高常溫漏電流,致密結(jié)構(gòu)極有利于后續(xù)的模塊封裝和儲存,有效提高產(chǎn)品的可靠性和良品率。
聲明:
“高可靠性高壓功率半導(dǎo)體模塊芯片的制造工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)