2觸點(diǎn)材料及其制備方法,真空冶金"> 2觸點(diǎn)材料及其制備方法,本發(fā)明公開的一種Ni增強(qiáng)Ag?SnO2觸點(diǎn)材料及其制備方法,按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)由以下原料組分組成:金屬Ag含量為30?50%,SnO2含量為5?20%,余量為鎳,以上各組分的質(zhì)量百分比之和為100%;本發(fā)明制備方法通過混合粉末、第一次退火處理、冷壓成型、真空燒結(jié)、二次退火處理,得到Ni增強(qiáng)Ag?SnO2觸點(diǎn)材料。本發(fā)明低壓觸點(diǎn)材料,增強(qiáng)了材料整體的抗電弧侵蝕性能,具有優(yōu)良的導(dǎo)電能力。">
位置:中冶有色 >
> Ni增強(qiáng)Ag-SnO2觸點(diǎn)材料及其制備方法