本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。步驟一,真空燒結(jié):將金屬片覆蓋于活性金屬焊料或者活性金屬焊片上,在真空環(huán)境下加熱使金屬片釬焊于陶瓷基板表面;步驟二,依次進(jìn)行貼膜、曝光、顯影、蝕刻以及退膜,進(jìn)而在金屬片上形成溝槽;步驟三,金屬片蝕刻?第一金屬層蝕刻成型;步驟四,金屬片蝕刻?第二金屬層蝕刻成型;步驟五,金屬片蝕刻?第三金屬層蝕刻成型;步驟六,焊料蝕刻。本專利通過優(yōu)化陶瓷基板的結(jié)構(gòu),
芯片嵌埋在基板中,能夠提高芯片的封裝密度。
聲明:
“3D結(jié)構(gòu)陶瓷基板的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)