本發(fā)明涉及一種碳化硼梯度含量的鋁基層狀中子屏蔽板的制備方法,是針對高含量碳化硼
鋁合金基
復(fù)合材料塑性變形難的弊端,采用鋁合金為基體材料,由外層向內(nèi)層碳化硼含量逐漸升高的方式,采用真空燒結(jié)技術(shù)制備中子屏蔽板的坯料,經(jīng)熱擠壓和熱軋制,制成碳化硼梯度含量鋁基層狀中子屏蔽板,此制備方法工藝先進(jìn),數(shù)據(jù)精確翔實,制備的層狀中子屏蔽板抗拉強(qiáng)度達(dá)240MPa,延伸率達(dá)6.3%,可做核防護(hù)的中子屏蔽材料使用,是先進(jìn)的制備層狀梯度金屬基復(fù)合材料的方法。
聲明:
“碳化硼梯度含量的鋁基層狀中子屏蔽板的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)