本發(fā)明公開了一種梯度多孔鈦基/二氧化鉛復(fù)合電極及其制備方法,該方法采用
粉末冶金方法,以TiH2為原料,NH4HCO3為造孔劑,通過(guò)控制不同梯度層的造孔劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)獲得梯度多孔鈦基體;在梯度多孔鈦基體上熱沉積形成致密的錫銻氧化物中間層;在錫銻氧化物中間層上電沉積復(fù)合二氧化鉛活性層。發(fā)明中所述梯度多孔鈦基體可以是2~3層,孔隙度為20%~40%,所述復(fù)合二氧化鉛活性層的厚度為80μm~500μm。本發(fā)明使用梯度的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在不損失性能的前提下減低了密度并可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基體孔隙率的進(jìn)一步調(diào)控;顯著降低了中間層“泥裂”現(xiàn)象出現(xiàn)的可能性,改善中間層的致密性使電解池中的氧向電極表面的擴(kuò)散減少且優(yōu)化電沉積效果,降低了基體表面的鈍化可能從而提高了使用壽命。
聲明:
“梯度多孔鈦基/二氧化鉛復(fù)合電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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