本發(fā)明屬于脈沖功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,更具體地,涉及一種快速離化器件及其制備方法。該快速離化器件包括依次相鄰設(shè)置的金屬化陰極、高摻雜n+區(qū)、陰極側(cè)高摻雜p+短路點(diǎn)、p基區(qū)、n?基區(qū)、n型促離化層、陽(yáng)極側(cè)高摻雜n+短路點(diǎn)、高摻雜p+區(qū)、金屬化陽(yáng)極。本發(fā)明通過(guò)在FID器件結(jié)構(gòu)中引入較n?基區(qū)更高的摻雜濃度的n型促離化層,通過(guò)限制n?基區(qū)空間電荷區(qū)的擴(kuò)展,進(jìn)而限制了碰撞電離前沿需要穿越的區(qū)域?qū)挾?,減小了碰撞電離前沿穿越的范圍,減少了碰撞電離前沿傳播的時(shí)間,從而提高了器件的開(kāi)通速度。
聲明:
“快速離化器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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