一種基于電子俘獲誘導(dǎo)空穴注入形成光增益的CH
3NH
3PbI
3鈣鈦礦光電器件及其制備方法,屬于光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。從下至上,依次由具有ITO導(dǎo)電薄膜的玻璃襯底、PEDOT?PSS空穴傳輸層、CH
3NH
3PbI
3鈣鈦礦感光薄膜、PCBM電子萃取層、PCBM:F4?TCNQ混合材料電子俘獲層、BCP修飾層、Au電極構(gòu)成。鈣鈦礦感光層吸光后產(chǎn)生的光生電子流向器件陰極,并被F4?TCNQ提供的深電子陷阱所束縛,導(dǎo)致陰極附近的PCBM能級(jí)向下彎曲,并在PCBM中形成空穴勢(shì)壘尖峰,陰極空穴在較小的反向偏壓下可以隧穿通過該勢(shì)壘尖峰并注入器件,最終形成空穴增益,大幅提高探測(cè)器的光電流密度。
聲明:
“基于電子俘獲誘導(dǎo)空穴注入形成光增益的鈣鈦礦光電器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)