本發(fā)明公開了一種大面積
鈣鈦礦微納米線陣列的制備方法及其在光電探測器中的應用;在環(huán)境條件下可以通過簡單的刮涂方式或者卷對卷印刷技術制備獲得高度取向、大面積的微納米線陣列;所獲得的微納米線長度達到毫米級,寬度在100納米到5微米間,微納米線陣列高度取向排列;該制備方法簡單,成本低廉,高度取向、大面積的鈣鈦礦微納米線陣列可以應用于制備光電探測器。
聲明:
“大面積鈣鈦礦微納米線陣列的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)