本發(fā)明的立方相、巖鹽礦結(jié)構(gòu)Zn1-xMnxO薄膜及其制備工藝,屬于氧化物稀磁半導(dǎo)體薄膜的制備技術(shù)領(lǐng)域,其特征是采用電子束反應(yīng)蒸發(fā)法,利用MnO的含量相對(duì)較高的(MnO)y(ZnO)1-y(y為摩爾比,y=0.2~0.3)陶瓷靶作為蒸發(fā)源,以高純度的Ar/O2混合氣為反應(yīng)氣體,在石英玻璃襯底上制備出Mn含量x(x為原子個(gè)數(shù)比)在0.6~1.0范圍、光學(xué)帶隙在4.5~5.7eV范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)、厚度在200~1000nm范圍、具有立方相、巖鹽礦結(jié)構(gòu)的Zn1-xMnxO薄膜。
聲明:
“立方相、巖鹽礦結(jié)構(gòu)的Zn1-xMnxO晶體薄膜及其制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)