本發(fā)明公開了一種鈦鎳鈷記憶合金膜的制備方法,該方法克服了現(xiàn)有的多孔TiNiCo形狀記憶合金制備方法中孔隙率和孔徑及孔型均難以控制以及合金產(chǎn)品的阻尼性能及其他力學(xué)性能尚需提高的缺陷,本發(fā)明采用磁控濺射的方法,并采用低溫軋制的手段,形成的
稀土記憶合膜具有較高的屈服強(qiáng)度,使得膜表面均勻致密、膜基結(jié)合強(qiáng)度高、力學(xué)性能優(yōu)良。
聲明:
“鈦鎳鈷記憶合金膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)