本發(fā)明屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種超低功耗、高直流偏置磁芯,包括非磁性絕緣基體和分散于非磁性絕緣基體中的磁性納米顆粒。本發(fā)明的超低功耗、高直流偏置磁芯,由磁性納米顆粒分散在非磁性絕緣基體中形成;非磁性絕緣基體能有效阻止電子傳導(dǎo),顯著降低渦流損耗;同時超順磁性納米粒顆具有線性磁化曲線,具有優(yōu)異的抗直流偏置特性。
聲明:
“超低功耗、高直流偏置磁芯及其制備方法、應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)