本發(fā)明公開了一種高結(jié)溫雪崩二極管
芯片組件,包括正面金屬片、二極管擴散圓片和背面金屬片;二極管擴散圓片的兩面均設(shè)有鎳膜;兩層鎳膜的外側(cè)面與兩金屬片的內(nèi)側(cè)面設(shè)焊料層;正面金屬片上設(shè)有應(yīng)力吸收槽路,應(yīng)力吸收槽路上設(shè)有溝槽,溝槽上設(shè)有聚酰亞胺鈍化層。本發(fā)明還公開了一種高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件的制造方法,采用聚酰亞胺作為鈍化層,避免玻璃鈍化固有的高溫漏電大,膨脹應(yīng)力大等缺陷,提升了二極管結(jié)溫;而且減少所有光刻,節(jié)約了成本,同時避免了光刻不良引入的缺陷,帶來了極大的經(jīng)濟效益;本發(fā)明引入晶圓極的內(nèi)引線金屬電極片,減少了臺面工藝帶來的翹曲、碎片,提高浪涌能力,提高成品率,并方便后續(xù)封裝工藝。
聲明:
“高結(jié)溫雪崩二極管芯片組件及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)