本發(fā)明公開(kāi)了一種低損耗抗彎曲單模光纖及其制造方法,該光纖從內(nèi)到外依次包含芯層、內(nèi)包層與外包層,芯層的相對(duì)折射率差Δ1為0.37%~0.42%,內(nèi)包層的相對(duì)折射率差Δ2為?0.45%~?0.25%,外包層的相對(duì)折射率差△3為?0.05%~0%。本發(fā)明中,芯層相對(duì)折射率差自內(nèi)而外由Δ1下降為Δ2,降低了彎曲狀態(tài)下折射率剖面的畸變程度,進(jìn)一步優(yōu)化了芯包粘度匹配,減小了拉絲過(guò)程中缺陷的產(chǎn)生,以降低光纖的損耗值,增加光纖的抗彎曲性能,內(nèi)包層的相對(duì)折射率差自內(nèi)而外由Δ2上升為Δ3,使光纖的芯層、包層粘度到達(dá)較好的匹配,降低芯包間應(yīng)力,同時(shí)符合ITU.T G.657.A和ITU.T G.652.D光纖標(biāo)準(zhǔn)。
聲明:
“低損耗抗彎曲單模光纖及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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