本發(fā)明是關(guān)于一種奈米碳管的圖騰形成方法,是提供一種奈米碳管的圖騰形成方法制作高解析的圖騰化電子發(fā)射源層;利用可微影制程的負(fù)型光阻材料圖騰化制作高解析的蔭罩阻隔層,再以噴涂奈米碳管噴涂液形成奈米碳管層,接著以燒結(jié)過程移除蔭罩阻隔層并同時使圖騰化的奈米碳管層固著于陰極導(dǎo)電層以形成電子發(fā)射源層。依本發(fā)明方法實施的電子發(fā)射源層可滿足高解析圖騰的需求,并且以噴涂的制作奈米碳管層,其涂層厚度薄,電子產(chǎn)生效率與均勻性均高,從而更加適于實用。
聲明:
“奈米碳管的圖騰形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)