提供改善導電膜圖案的形成方法、能夠更高效率地達到良好的膜厚化的導電膜圖案及其形成方法,進而提供使用該導電膜圖案構(gòu)成的配線基片、電子器件、電子機器、以及非接觸型卡片介質(zhì)。本發(fā)明的導電膜圖案的形成方法,具備:在基片1的上方形成微小空隙型的容納層2的工序,在容納層2上、或者容納層2上和容納層2中設(shè)置含有導電性微粒和有機金屬化合物中的至少一方的液狀體(液滴)的工序,以及通過熱處理使導電性微粒3及有機金屬化合物中的至少一方相互接觸、或者導電性微粒和有機金屬化合物接觸而形成導電膜圖案4的工序。
聲明:
“導電膜圖案及其形成方法、配線基片、電子器件、電子機器及非接觸型卡片介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)