本申請公開了一種
多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用,屬于
光伏技術領域。該多晶硅半熔鑄錠用坩堝,包括坩堝本體和噴涂在坩堝本體內部表面的氮化硅層,所述氮化硅層的厚度為1mm?2mm。該坩堝可防止坩堝本體中的雜質滲入多晶硅鑄錠中,并且不會在多晶硅鑄錠過程中脫落而與坩堝本體粘連;該坩堝的制備工藝簡單,坩堝表面的氮化硅層光滑;使用該坩堝制備多晶硅錠的良率高。
聲明:
“多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)