本發(fā)明公開了一種含
鈣鈦礦量子點(diǎn)的非晶氧化物浮柵晶體管的制備方法。屬于半導(dǎo)體行業(yè)存儲(chǔ)器技術(shù)和光探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,所述銦鎵鋅氧薄膜晶體管存儲(chǔ)器或者光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)從上到下依次為源漏電極、溝道層、隧穿絕緣介質(zhì)層、浮柵層、柵絕緣層、柵電極和襯底。其中溝道層采用的是非晶氧化物,浮柵層采用的是鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜。本發(fā)明可以有效提高器件對(duì)于入射光的收集效率,增強(qiáng)光電轉(zhuǎn)換效率,實(shí)現(xiàn)大的電流密度和出色的存儲(chǔ)特性,在光敏存儲(chǔ)器和智能光電感知器等方面有重要的潛在應(yīng)用前景。
聲明:
“含鈣鈦礦量子點(diǎn)的非晶氧化物浮柵晶體管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)