本發(fā)明涉及電子學(xué)領(lǐng)域,特別是涉及一系列新型p-n結(jié)。本發(fā)明將n型或p型的
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物(選擇摻雜的鈦酸鋇或鈦酸鍶或錳酸鑭)與n型或p型的
半導(dǎo)體材料(選擇摻雜的硅或鍺或砷化鎵)進(jìn)行疊層生長,制備成半導(dǎo)體和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物的p-n結(jié)、p-p結(jié)、n-n結(jié)、p-n-p結(jié)、n-p-n結(jié)等多種結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的制作工藝簡單,穩(wěn)定性好,可廣泛應(yīng)用于電子器件及探測器。
聲明:
“半導(dǎo)體和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物p-n結(jié)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)