本發(fā)明公開(kāi)了一種憶阻器及其制備方法,所述憶阻器包括自下而上依次設(shè)置的基底、底電極層、
功能材料層、頂電極層以及頂電極保護(hù)層,其特征在于,所述功能材料層和頂電極層之間設(shè)置有阻擋層,所述阻擋層由Nb2C覆蓋在MAPbI3層上表面制備而成。本發(fā)明引入阻擋層制備形成的憶阻器,且配置有頂電極保護(hù)層,具有穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性佳的特點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景,同時(shí)本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)便高效,成本較低,適合在產(chǎn)業(yè)上廣泛應(yīng)用。
聲明:
“憶阻器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)