本發(fā)明屬于光電
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種相變可控的全無(wú)機(jī)
鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應(yīng)用。所述方法包括:(1)將先驅(qū)物溴化鉛和溴化銫分別置于氣相沉積裝置內(nèi),將襯底置于沉積區(qū),并對(duì)整個(gè)裝置抽真空;(2)向氣相沉積裝置內(nèi)通入惰性氣體;(3)設(shè)定沉積溫度和沉積時(shí)間,沉積溫度選自500?800℃,不同沉積溫度下,鈣鈦礦薄膜的成分和晶型不同。本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積方法,工藝條件簡(jiǎn)單,易于精確控制,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),同時(shí)薄膜均勻性好,與襯底材料附著性,覆蓋性好,制備的光電薄膜,具有廣闊的應(yīng)用前景。本發(fā)明通過(guò)改變沉積溫度,實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦相從CsPb
2Br
5到CsPbBr
3可控生長(zhǎng)?;诒景l(fā)明得到的鈣鈦礦薄膜制備的光電探測(cè)器,表現(xiàn)出良好的光電響應(yīng)和開關(guān)特性。
聲明:
“相變可控的全無(wú)機(jī)鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)