2-PPy/H-TiO2三元核殼雜化陣列電極材料及其制備方法,功能材料"> 2-PPy/H-TiO2三元核殼雜化陣列電極材料及其制備方法,一種MnO2?PPy/H?TiO2三元核殼雜化陣列電極材料及其制備方法,屬于納米功能材料、能量存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域。采用陽(yáng)極氧化法制備有序TiO2納米管陣列,繼而對(duì)其進(jìn)行晶化退火處理和電化學(xué)氫化還原,獲得H?TiO2納米管陣列,然后在H?TiO2納米管陣列內(nèi)外表面沉積高比電容的導(dǎo)電聚合物PPy薄層,最后在PPy/H?TiO2納米管內(nèi)外表面沉積高比電容的納米MnO2制備獲得的MnO2?PPy/H?TiO2三元核殼雜化陣列電極材料在電流密度為1?A·g?1時(shí)比電">

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MnO2-PPy/H-TiO2三元核殼雜化陣列電極材料及其制備方法

893   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:03:02
一種MnO2?PPy/H?TiO2三元核殼雜化陣列電極材料及其制備方法,屬于納米功能材料、能量存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域。采用陽(yáng)極氧化法制備有序TiO2納米管陣列,繼而對(duì)其進(jìn)行晶化退火處理和電化學(xué)氫化還原,獲得H?TiO2納米管陣列,然后在H?TiO2納米管陣列內(nèi)外表面沉積高比電容的導(dǎo)電聚合物PPy薄層,最后在PPy/H?TiO2納米管內(nèi)外表面沉積高比電容的納米MnO2制備獲得的MnO2?PPy/H?TiO2三元核殼雜化陣列電極材料在電流密度為1?A·g?1時(shí)比電容可達(dá)563.6?F·g?1,電流密度為10?A·g?1時(shí)循環(huán)充放電5000圈后比電容僅下降9.6%。
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