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ZnO量子點/多孔硅熒光材料制備方法及應(yīng)用

1018   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:04:01
本發(fā)明屬于功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域,以SiO2@ZnO?QDs為熒光基質(zhì)材料,利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印跡熒光傳感器。本發(fā)明利用凝膠溶膠法將ZnO?QDs封裝到多孔SiO2中,不僅解決量子點穩(wěn)定性問題,提高量子點使用壽命;還通過加入致孔劑制備多孔SiO2,解決量子點包埋過深,增加比表面積,拓寬其使用范圍。與表面分子印跡技術(shù)結(jié)合,提高熒光傳感器對待檢測物質(zhì)的識別能力和響應(yīng)速度,為快速、選擇性識別檢測乳制品中痕量三聚氰胺奠定堅實的理論和實踐基礎(chǔ)。
聲明:
“ZnO量子點/多孔硅熒光材料制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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