本發(fā)明公開一種MEMS諧振結(jié)構(gòu)的加工方法，提供硅晶圓作為襯底硅，在襯底硅的表面生長(zhǎng)第一掩膜層；在第一掩膜層上加工開口圖樣；通過干法刻蝕去除與開口圖樣對(duì)應(yīng)部分的第一掩膜層以及襯底硅，在襯底硅上形成凹槽結(jié)構(gòu)；生長(zhǎng)第二掩膜層，在所述凹槽結(jié)構(gòu)的凹槽側(cè)壁以及凹槽底部形成第二掩膜層，在所述襯底硅表面形成復(fù)合掩膜層；通過干法刻蝕去除所述第二掩膜層，使所述凹槽底部的所述第二掩膜層全部去除；通過干法刻蝕再次對(duì)所述襯底硅進(jìn)行刻蝕，使所述凹槽結(jié)構(gòu)加深，并使得新刻蝕的凹槽側(cè)壁上沒有掩膜層覆蓋；通過濕法刻蝕在所述襯底硅內(nèi)部連通開口圖樣形成空腔；淀積下電極、壓電功能材料以及上電極；圖形化并通過干法刻蝕釋放諧振結(jié)構(gòu)。