本發(fā)明公開一種
鈣鈦礦薄膜的制備方法,屬于半導體電子薄膜技術領域;本發(fā)明經過La0.7Ca0.3MnO3:Ag0.2多晶陶瓷靶材的制備、薄膜材料的制備、薄膜材料后退火處理制得鈣鈦礦薄膜;本發(fā)明方法制備的鈣鈦礦薄膜電阻率值低,金屬?絕緣體轉變溫度(Tp)更接近室溫,電阻溫度系數(shù)(TCR)更大,能夠更廣泛的應用于近室溫磁電子器件、超巨磁電阻測輻射熱儀、紅外探測器等器件。
聲明:
“鈣鈦礦薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)