本申請屬于光電技術領域，尤其涉及一種p?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法。其中，p?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器，包括依次疊層貼合設置的p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層，其中，所述鈣鈦礦活性層包含化學通式為APbZ3的鹵化物鈣鈦礦，其中，A包括堿金屬離子或者有機銨離子，Z包括至少一種鹵素。本申請?zhí)峁┑膒?i?n結構鈣鈦礦基X光探測器，通過p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層的協(xié)同作用，可有效抑制器件暗電流，暗電流密度≤1nA/cm2，并且使鈣鈦礦基X光探測器具有較高的檢測靈敏度。