本發(fā)明涉及一種SiC納米線改性陶瓷基
復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法,將多孔纖維預(yù)制體浸漬在催化劑溶液中,然后在CVD爐中,以三氯甲基
硅烷MTS為硅源;氬氣Ar作為稀釋氣體,稀釋比為30~90;氫氣作為載氣,進(jìn)行原位沉積SiC納米線;再以三氯甲基硅烷MTS為硅源;氬氣Ar作為稀釋氣體,稀釋比為9~11,采用CVI工藝制備SiC基體,得到致密SiC納米線改性的陶瓷基復(fù)合材料。本發(fā)明利用SiC納米線的增強增韌機(jī)制,提高材料的力學(xué)性能。與相同工藝下的PyC界面的復(fù)合材料相比,SiC納米線做界面的復(fù)合材料的彎曲強度提高了26.7%(圖6),還可以提高界面的抗氧化性。
聲明:
“SiC納米線改性陶瓷基復(fù)合材料界面制備陶瓷基復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)