本發(fā)明涉及一種納米箔帶擴散連接碳化硅陶瓷基復合材料的工藝，屬于焊接制造技術領域。由于陶瓷及陶瓷基復合材料的加工性能較差、耐熱沖擊能力弱，國內外在陶瓷或陶瓷基復合材料的連接中，普遍使用傳統(tǒng)的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性釬料進行釬焊連接，但相應的接頭耐熱溫度很難超過500℃。本發(fā)明提供一種可用于SiC陶瓷基復合材料的低溫活化連接、接頭耐高溫的連接方法，通過采用納米級厚度的Ti和Al金屬層交替疊加的箔帶作為焊料，經(jīng)過熱壓燒結方法，實現(xiàn)碳化硅陶瓷基復合材料的連接，獲得的連接接頭不僅室溫強度高，而且室溫接頭強度的75％以上可以穩(wěn)定至1100℃的高溫。