一種Cf/SiC
復(fù)合材料有序多孔陶瓷接頭的制備方法,是以單散的氧化硅凝膠小球?yàn)槟0逶?采用自然沉降法制備Cf/SiC復(fù)合材料氧化硅凝膠小球接頭模板,之后用陶瓷先驅(qū)體浸漬上述模板,浸漬完成后以N2為保護(hù)氣體,利用常壓高溫裂解法使陶瓷先驅(qū)體PCS轉(zhuǎn)化為SiC陶瓷,再用氫氟酸腐蝕掉氧化硅凝膠小球,即制得Cf/SiC復(fù)合材料有序多孔陶瓷接頭。本發(fā)明在Cf/SiC復(fù)合材料構(gòu)件末端引入有序多孔結(jié)構(gòu),減少Cf/SiC復(fù)合材料復(fù)雜微觀結(jié)構(gòu)對(duì)連接的不利影響,同時(shí),通過(guò)梯度材料過(guò)渡減少連接過(guò)程中的熱應(yīng)力,從而有效地改善Cf/SiC復(fù)合材料的連接質(zhì)量,促進(jìn)復(fù)合材料在航空航天、軍事等高技術(shù)新裝備領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“Cf/SiC復(fù)合材料有序多孔陶瓷接頭的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)