本發(fā)明涉及一種耐高溫結(jié)構(gòu)吸波型陶瓷基
復(fù)合材料的快速制備方法,采用SI+RMI工藝制備SiC纖維增強硅基陶瓷基復(fù)合材料,即首先通過SI工藝在SiC纖維預(yù)制體中分別引入Si
3N
4粉體、BN粉體、SiC粉體、或C+Si
3N
4混合粉體,然后經(jīng)RMI工藝將硅熔體滲透至復(fù)合材料內(nèi)部,分別與上述粉體結(jié)合或反應(yīng)生成Si3N
4?Si基體、Si?B?N基體、SiC?Si基體、或Si?C?N基體,制備出滿足結(jié)構(gòu)吸波型陶瓷基復(fù)合材料要求的電磁阻抗匹配型基體(如Si
3N
4?Si、Si?B?N等)或電磁吸波型基體(如SiC?Si、Si?C?N等),實現(xiàn)復(fù)合材料的快速致密化,有效縮短復(fù)合材料制備周期、提高復(fù)合材料致密度和力學(xué)/吸波性能。
聲明:
“耐高溫結(jié)構(gòu)吸波型陶瓷基復(fù)合材料的快速制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)