本發(fā)明屬于納米光電材料技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種花青素敏化的P5FIn/ITO納米
復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用。該制備方法包括如下步驟:(1)含有吲哚?5?甲醛的乙腈溶液的制備;(2)P5FIn/ITO電極復(fù)合材料的制備;(3)花青素敏化的P5FIn/ITO納米復(fù)合材料的制備:將所述P5FIn/ITO電極復(fù)合材料放入所述花青素溶液中浸泡,最終得到花青素敏化的P5FIn/ITO納米復(fù)合材料。本發(fā)明制備的花青素敏化的P5FIn/ITO納米復(fù)合材料具有良好光電性能;花青素敏化的P5FIn/ITO復(fù)合材料具有較高的氧化還原活性和
電化學(xué)穩(wěn)定性。
聲明:
“花青素敏化的P5FIn/ITO納米復(fù)合材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)