本發(fā)明涉及一種高導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料及其制備方法，屬于電子封裝技術(shù)領(lǐng)域。該材料由高導(dǎo)熱復(fù)合材料及鍍于其上的絕緣層組成，高導(dǎo)熱復(fù)合材料為增強(qiáng)顆粒或纖維與基體的復(fù)合材料，基體為銅、鋁或銀，絕緣層為金剛石、氮化鋁或氮化硼等陶瓷膜，或者金剛石與氮化鋁或氮化硼的復(fù)合膜。該復(fù)合材料是在高導(dǎo)熱復(fù)合材料的基礎(chǔ)上采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在其表面沉積絕緣薄膜制備而成。本發(fā)明中的高導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料解決了高導(dǎo)熱復(fù)合材料在特定絕緣性能要求的應(yīng)用場(chǎng)合的高導(dǎo)熱絕緣的問題，適用于集成電路系統(tǒng)、高功率或高功率密度器件等。