本發(fā)明屬于
鈣鈦礦太陽能電池、光電探測器以及寬禁帶半導(dǎo)體光電材料與器件技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法,在超聲清洗機(jī)中用異丙醇、乙醇和去離子水各清洗30分鐘,利用紫外臭氧處理襯底15分鐘,對寬禁帶半導(dǎo)體襯底進(jìn)行徹底清洗;在經(jīng)過徹底清洗的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上采用旋涂儀旋涂碘化鉛或無機(jī)鈣鈦礦前體溶液;經(jīng)過退火處理后,即可得到高質(zhì)量的碘化鉛和鈣鈦礦單晶薄膜。本發(fā)明采用旋涂工藝生長高質(zhì)量碘化鉛和鈣鈦礦單晶薄膜的技術(shù),通過優(yōu)化前體溶液的配比以及薄膜生長溫度,使用旋涂工藝在寬禁帶半導(dǎo)體襯底上生長碘化鉛或鈣鈦礦材料,獲得了高質(zhì)量的外延單晶薄膜,應(yīng)用于制造高效光電探測器或太陽能電池。
聲明:
“寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)