一種航天發(fā)動(dòng)機(jī)燃?xì)舛嬗肅/SiC復(fù)合材料及其制備方法，所述C/SiC復(fù)合材料是將三維正交預(yù)制體經(jīng)化學(xué)氣相滲積(CVI)，料漿浸漬(SI)石墨片(Graphite Sheet,GS)，原位生長(zhǎng)碳線(Carbon Wire,CW)以及熔融反應(yīng)滲硅(RMI)法致密化至密度為2.0~2.20 g/cm3，屬于陶瓷基復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法為：首先采用三維正交的方法制備碳纖維預(yù)制體，之后采用CVI法制備低密度碳/碳(C/C)多孔體，經(jīng)過高溫?zé)崽幚砗蟛捎肧I法引入石墨片制備得到C/C?GS多孔體，然后采用化學(xué)氣相沉積法（CVD）原位制備碳線得到C/C?GS?CW多孔體，最后采用RMI法制得輕質(zhì)耐燒蝕航天發(fā)動(dòng)機(jī)燃?xì)舛嬗肅/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明所制備的航天發(fā)動(dòng)機(jī)燃?xì)舛嬗肅/SiC復(fù)合材料，具有密度小，耐超高溫，抗燒蝕，熱膨脹系數(shù)小，不發(fā)生災(zāi)難性破壞等顯著優(yōu)點(diǎn)。