一種硅化金剛石/SiC復合材料的制備方法，屬于電子封裝材料領域。首先將金剛石顆粒與硅粉進行濕混，充分研磨后進行燒結，使得金剛石表面與硅粉發(fā)生反應，生成一層碳化硅涂層，然后以表面鍍覆碳化硅的金剛石顆粒與硅粉混合，同時加入有機粘結劑，研磨并且在混料機上混料，得到了均勻的復合顆粒。這些復合顆粒經(jīng)過預壓、脫脂，移入真空熔滲爐中，采用硅掩埋法進行真空熔滲，制備了致密的金剛石/SiC復合材料。本發(fā)明采用硅粉對金剛石微粒進行了改性，提高了金剛石與硅之間的界面結合性，得到的金剛石/SiC復合材料致密度在95％以上，硬度HRA80以上，抗彎強度超過200MPa，熱導率可達到600W/mK，熱膨脹系數(shù)1.5～4×10?6/K。本發(fā)明可一次制備多種復雜性狀，復雜曲率，大尺寸的產品，生產效率高、成本低。