一種高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復(fù)合材料的制備方法，它涉及一種聚偏氟乙烯復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有聚偏氟乙烯的介電常數(shù)低的問題。方法：一、制備二維層狀TiC納米片；二、復(fù)合，得到碳化鈦納米片質(zhì)量分數(shù)為5％～20％的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復(fù)合材料。本發(fā)明制備的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復(fù)合材料可應(yīng)用于微電子加工、集成電路、高效率儲能元件領(lǐng)域；本發(fā)明制備的高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復(fù)合材料的介電常數(shù)為9.8～19.1。本發(fā)明可獲得一種高介電性能聚偏氟乙烯碳化鈦納米片復(fù)合材料。