本發(fā)明公開(kāi)了一種碳/碳化硅陶瓷基復(fù)合材料密度標(biāo)定方法。首先利用CVI工藝制備C/SIC復(fù)合材料分階段逐步致密的特點(diǎn),在C/SIC復(fù)合材料制備的各致密階段獲取隨爐梯度密度標(biāo)樣;然后采用工業(yè)CT技術(shù)一次同步檢測(cè)梯度密度標(biāo)樣和被標(biāo)定C/SIC復(fù)合材料,獲得CT圖像;建立梯度密度標(biāo)樣CT值與其密度之間的函數(shù)標(biāo)定關(guān)系;最后利用函數(shù)標(biāo)定關(guān)系來(lái)標(biāo)定同一CT掃描截面上C/SIC復(fù)合材料的內(nèi)部密度分布。由于采用一次同步完成標(biāo)樣和被標(biāo)定C/SIC復(fù)合材料的CT截面掃描,獲得的復(fù)合材料內(nèi)部密度分布信息準(zhǔn)確,檢測(cè)速度快,精度高,成本低。