3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法,探礦技術"> 3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法,本發(fā)明公開了一種基于GaN/CsPbBr3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法,它是由藍寶石氮化鎵基片、全無機鈣鈦礦CsPbBr3薄膜、銦電極、碳電極組成,是一種In/GaN/CsPbBr3/C結構,其制備方法為選取藍寶石GaN基片并清洗,制備In底電極,反溶劑輔助生成全無機鈣鈦礦CsPbBr3多晶薄膜,制備碳頂電極,完成后,即為制作成的一個完整LED器件。在無外加偏壓時,是實現(xiàn)波長范圍在350nm~550nm的光探測;在正向偏壓下,能夠發(fā)射出峰值位于525">

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基于GaN/CsPbBr3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法

1031   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-01 01:00:08
本發(fā)明公開了一種基于GaN/CsPbBr3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法,它是由藍寶石氮化鎵基片、全無機鈣鈦礦CsPbBr3薄膜、銦電極、碳電極組成,是一種In/GaN/CsPbBr3/C結構,其制備方法為選取藍寶石GaN基片并清洗,制備In底電極,反溶劑輔助生成全無機鈣鈦礦CsPbBr3多晶薄膜,制備碳頂電極,完成后,即為制作成的一個完整LED器件。在無外加偏壓時,是實現(xiàn)波長范圍在350nm~550nm的光探測;在正向偏壓下,能夠發(fā)射出峰值位于525nm的綠光。本發(fā)明工藝簡單,成本低,雙功能效果好。
聲明:
“基于GaN/CsPbBr3異質(zhì)結的光響應型LED及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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